STM32F429ZGY6TR接地技术的引入zui初是为了防止电力或电子等设备遭雷击而采取的保护性措施,目的是把雷电产生的雷击电流通过避雷针引入到大地,从而起到保护建筑物的作用。同时,接地也是保护人身安全的一种有效手段,当某种原因引起的相线(如电线绝缘不良,线路老化等)和设备外壳碰触时,设备的外壳就会有危险电压产生,由此生成的故障电流就会流经 PE 线到大地,从而起到保护作用。随着电子通信和其它数字领域的发展,在接地系统中只考虑防雷和安全已远远不能满足要求了。比如在通信系统中,大量设备之间信号的互连要求各设备都要有一个基准‘地’作为信号的参考地。而且随着电子设备的复杂化,信号频率越来越高,因此,在接地设计中,信号之间的互扰等电磁兼容问题必须给予特别关注,否则,接地不当就会严重影响系统运行的可靠性和稳定性。zui近,高速信号的信号回流技术中也引入了“地”的概念。
基于ARM® Cortex®-M4内核,采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator™,在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark,这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。
STM32F429ZGY6TR由于采用了动态功耗调整功能,通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。
属于STM32F4系列的入门级微控制器,是尺寸zui小、成本zui低的解决方案,具有卓越的动态功耗效率。
STM32F429ZGY6TR带DSP和FPU,具有1 MB Flash、180 MHz CPU和ART加速器。
具有高集成度,适合用于消费、工业和家电领域等各种应用,并可用于物联网 (IoT) 解决方案。
STM32F429ZGY6TR参数
料号 STM32F429ZGY6TR
特性 带DSP和FPU的高性能gao级系列ARM Cortex-M4 MCU,具有1 MB Flash、180 MHz CPU、ART加速器、Chrom-ART加速器、TFT、带SDRAM的FMC和TFT
状态 Active
封装 WLCSP 143 5.6x4.6x0.6 P 0.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 180
程序存储器大小 (kB) 1024
双组闪存 true
数据RAM大小(kB) 256
计时器(16-bit) 12
计时器 (32-bit) 2
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 3
通道数量 24
D/A转换器 2
输入/输出端数量 114
显示控制器 LCD TFT Controller
CAN接口数量 2
I2C接口数量 3
SPI接口数量 6
I2S接口数量 2
USART接口数量 4
UART接口数量 4
存储器扩展接口 FMC
USB类型 USB OTG FS + USB OTG FS/HS
加密技术 -
TRNG -
电源电压 (V) min 1.8
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.7
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 208
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85
XC2V1000-4FGG256C
XC2V1000-5FGG256C
XC2V250-4CSG144I
XC2V3000-4BF957C
XC2VP20-5FGG676I
XC2VP30-5FF1152I
XC2VP30-6FG676C
XC2VP40-5FF1152I
XC2VP50-6FFG1152I
XC2VP7-6FFG672I
STM32F429ZGY6TR
XC3S1000-4FGG456C
XC3S1000-4FGG456I
XC3S1000-4FTG256C
XC3S1000-4FTG256I
XC3S100E-4TQG144C
XC3S100E-4VQG100C
XC3S1200E-4FGG320C
XC3S1200E-4FGG320I
XC3S1200E-4FT256I
XC3S1200E-4FTG256I
XC3S1200E-5FTG256C
XC3S1400A-4FGG484C
XC3S1400A-4FGG484I
XC3S1400A-4FTG256C
XC3S1400A-4FTG256I
XC3S1400AN-4FGG676I
XC3S1500-4FGG456C
XC3S1600E-4FGG320C
XC3S1600E-4FGG320I
XC3S1600E-4FGG484C
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